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LKS1D5004D

样品申请

简述

LKS1D5004D是高压单相IPM(智能功率块),内部集成高压 1C 以及高性能 MOSFET 适用于直流无刷BLDC和永磁同步 PMSM电机。低侧MOSFET的源极可以用于电流采样。输入端包含史密斯触发器并且逻辑电平兼容 3.3V/5V/15V。 LKS1D5004D 采用 ESOP13 封装

优势

内置高性能 500V/4A MOSFET

内置自举二极管

对于负的瞬态电压具有高鲁棒性

门极驱动电压范围支持 10V~20V

输入逻辑电平兼容 3.3V,5V 以及 15V

高侧和低侧均支持 UVLO

内置死区避免上下管直通

应用领域

典型应用原理图

封装

技术文档

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规格书	BPP1N5004D	pdf	简易版