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BP87526H

样品申请
简述
BP87526H 是一款高性能、高集成度、低待机功耗、高频准谐振反激驱动芯片。内置 800V高压 MOSFET，集成高压启动电路、高压辅助供电电路，适用于高效率、小体积、高可靠性、宽输出电压范围的 35~55 W 反激变换器应用。 BP87526H 支持自适应COT控制方式，接收和解调配对的副边控制器发送到原边的脉冲信号，同时检测原边漏极电压谷底控制原边功率管的开通，实现较高的效率。采用AdaptiveCOT控制方式和原副边磁耦通讯，大幅度降低了控制电路的静态工作电流，使得系统待机功耗小于30 mW，可以满足待机功耗要求较高的应用场合。辅助供电引脚耐压可达到150V，能满足宽输出电压范围。
优势

    内置 800V高压 MOSFET

    集成高压启动

    150V辅助供电耐压，满足宽输出电压范围

    自适应 COT控制，快速的动态响应

    磁耦通讯实现超低待机功耗，<30 mW

    QR 谷底开通，优化效率和 EMI特性

    最高可达 140 kHz 开关频率

应用领域
  • USB PD、QC充电器
  • 可编程 AC/DC 充电器
典型应用原理图
封装
技术文档
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规格书 BP87526H pdf 完整版
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