内部集成 700V 高压 MOSFET
集成高压启动和自供电电路
低待机功耗,<50mW@230VAC 辅助绕组供电,<150mW@230VAC 高压自供电
优异的动态响应速度,无输出过冲
内置软启动功能
改善 EMI性能的频率调制技术
高低压脚之间爬电距离>3mm (DIP-7 封装)
通过 MOSFET 源极 PCB 散热,不影响 EMI
保护功能