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BP86226P

样品申请
简述
BP86226P是一款集成超低待机功耗准谐振原边控制器，并集成650V高雪崩能力功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的内置电源。适用于全电压范围85~265VAC输入的反激式变换器应用。 BP86226P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM 两种工作模式。内置高压启动，稳态时由辅助绕组供电，可实现芯片空载损耗(230VAC)小于100mW。采用准谐振、多模式技术与PWM频率切换技术共同提高效率并消除音频噪声，频率技术可实现较好的EMI特性。
优势

    内部集成650V高压MOSFET

    集成高压启动和自供电电路

    低待机功耗

    峰值电流补偿功能

    内置软启动功能

    改善EMI抖频功能

应用领域
  • 加湿器等家电辅助电源
典型应用原理图
封装
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